FQP5N60C دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
FQP5N60C
|
|
حجم فایل
|
78.026
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
10
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
onsemi FQP5N60C
-
Operating Temperature:
-55°C~+150°C@(Tj)
-
Power Dissipation (Pd):
100W
-
Total Gate Charge (Qg@Vgs):
19nC@10V
-
Drain Source Voltage (Vdss):
600V
-
Input Capacitance (Ciss@Vds):
670pF@25V
-
Continuous Drain Current (Id):
4.5A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
4V@250uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
2.5Ω@10V,2.25A
-
Package:
TO-220F
-
Manufacturer:
onsemi
